产品概述
高密度 NAND Flash 面向大容量数据存储和任务数据记录。 覆盖 PROM、EEPROM、MRAM、NOR、SPI NOR、NAND、RTIMS Flash 与 MNEMOSYNE，用于启动、配置和数据保持。
产品条目2
Density4 Tb / 8 Tb
料号数量2
PackageBGA 215
Temperature-40 °C to +105 °C
产品规格与订购信息
| Density | Part Number | Description | Package | Temperature |
|---|---|---|---|---|
| 4 Tb | 3DFN4T16LB1862 | 512G x8 Asynchronous/Synchronous | BGA 215 | -40 °C to +105 °C |
| 8 Tb | 3DFN8T16LB2821 | 1024G x8 Asynchronous/Synchronous | BGA 215 | -40 °C to +105 °C |
资料链接
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- Memory Part Number Decoder
- 3DFN4T16LB1862 - Assembly Recommendations PDF - 988 ko
- 3DFN4T16LB1862 - Footprint PDF - 701 ko
- 3DFN8T16LB2821 - Assembly Recommendations PDF - 988 ko
- 3DFN8T16LB2821 - Footprint PDF - 702 ko
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