KD3D4G16LABM

4Gb x16 DDR3 宽温存储器,用于存量平台延续和替代设计。

KD3D4G16LABM 产品照片

产品概述

选型定位

KD3D4G16LABM 为 4Gb x16 DDR3L/DDR3 宽温存储器,适合存量平台延续、替代设计和长期供货项目。

容量组织256Mb x16,4Gb 总容量
接口标准JEDEC JESD-79-3F DDR3
电源轨DDR3L 1.35V,兼容 DDR3 1.5V 模式
封装尺寸PBGA-96,约 13mm x 7.5mm
速率范围最高 1866Mbps,向下兼容至 800Mbps
兼容参考MT41K256M16TW

关键特性

  • 支持差分时钟 CK/CK#、可编程 CAS 延迟 CL 与 CAS 写延迟 CWL。
  • 8 Bank 阵列、8n Prefetch 架构,固定 BL8 并支持 BC4。
  • 支持自刷新模式、片上 ODT,可提供 IBIS 模型辅助信号完整性仿真。

典型应用

  • 适配复旦微主流 FPGA、飞腾 FT2000、龙芯 3A3000 等平台。
  • 适用于既有 DDR3 平台维护、国产化替代和宽温运行项目。

导入关注点

  • 确认目标处理器、FPGA 或 SoC 的接口支持、供电轨和封装焊盘约束。
  • 样品导入前建议同步原理图、PCB 叠层、时钟/复位、电源时序和替代型号资料。
  • 如需替代现有器件,请提供原始料号、工作温度、速率档、封装限制和生命周期要求。

选型建议

如需确认平台兼容性、替代关系、温度条件、封装限制或资料状态,请在联系表单中填写目标平台、预计用量和项目阶段,康达销售与 FAE 将据此跟进。

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