KDMR04MVSM

4Mb MRAM 非易失存储器,用于关键数据保持。

KDMR04MVSM 产品照片

产品概述

选型定位

KDMR04MVSM 为 4Mb SPI/QPI MRAM 非易失存储,适合频繁写入、掉电保持和关键参数保存。

容量4Mb
接口标准 SPI / Quad SPI,支持 SPI Mode 0 与 Mode 3
频率SPI SDR/QPI SDR 最高 50MHz
电源范围典型 3.3V,VCC=2.7V~3.6V
功耗睡眠电流约 2uA,待机约 2mA,50MHz 有功约 4.3mA
封装SOP8 150mil

关键特性

  • 非易失保持且写入无需 Flash 擦除等待,适合日志、校准参数和状态镜像。
  • 支持软件保护位 BP0/BP1,85℃条件下数据保持超过 20 年。

典型应用

  • 掉电保护参数区、事件记录、工业控制状态保存、启动计数和运行日志。
  • 替代 EEPROM/Flash 时建议确认写入频率、掉电保护策略和接口模式。

导入关注点

  • 确认目标处理器、FPGA 或 SoC 的接口支持、供电轨和封装焊盘约束。
  • 样品导入前建议同步原理图、PCB 叠层、时钟/复位、电源时序和替代型号资料。
  • 如需替代现有器件,请提供原始料号、工作温度、速率档、封装限制和生命周期要求。

选型建议

如需确认平台兼容性、替代关系、温度条件、封装限制或资料状态,请在联系表单中填写目标平台、预计用量和项目阶段,康达销售与 FAE 将据此跟进。

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